据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家于2016年5月17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。该研究成果有助降低PCM的成本，加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 

　　这是一个重要的里程碑，因为在此密度下，PCM的成本将比DRAM低很多，接近闪存。研究人员指出，未来PCM既可以独当一面，也可作为快速缓冲贮存区，与闪存等存储方式强强联手。 

　　来源：科技部 

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