据韩国大邱科技研究所网站2018年9月7日报道，韩国大邱科技研究所（DGIST）的研究团队与韩国首尔大学、韩国中央大学以及POSTEC公司合作，研发出可以模拟人脑神经细胞和突触功能的人工电子突触器件。这种高可靠的人工电子突触由两层钽氧化物构成，一层Ta2O5-x和一层TaO2-x，通过仅允许对Ta2O5-x进行电流控制，成功克服了当前同类器件的耐久性限制。研究成员在试验中还成功实现了突触塑性，这是实现记忆创造、存储、和删除的关键。 

　　来源：韩国大邱科技研究所网站 

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