据美国国防高级研究计划局（DARPA）2021年4月8日报道，DARPA推出“低温逻辑技术”（Low Temperature Logic Technology，LTLT）项目，旨在开发极低温的器件技术，以克服高性能计算面临的功率效率限制。

LTLT项目旨使电子器件在接近液氮温度（约零下196摄氏度）下运行时，实现功率性能的显著提升。该项目将通过对先进的超大规模集成（VLSI）工艺进行修改，开发高性能、低温的CMOS鳍式场效应晶体管（FinFET），最终与在室温下运行的最新中央处理器相比，性能/功耗能够提高25倍。

信息来源：

https://www.darpa.mil/news-events/2021-04-08