当前芯片制造行业的主流技术——硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。最近，香港科技大学和南方科技大学在“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得突破，这或将成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。

南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现“基础化+集成化”的趋势。因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。

集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的集成主要体现在两个方面：一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门和肖特基二极管等关键基础单元，将朝实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展，根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。

芯片制造业的版图将有望因第三代半导体驶入赛道而改变。

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http://paper.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2021/9/365365.shtm?id=365365