美国麻省理工学院和科罗拉多大学研究人员在2018年12月初举行的IEEE国际电子器件会议上发表论文称，他们对最新发明的化学蚀刻技术（热原子级蚀刻）进行了改进，可以逐个原子地修改半导体材料，从而研制出一种新的CMOS三维晶体管，可窄至2.5纳米，尺寸不到当今最小商用晶体管的一半，且效率更高。 

　　新技术减少了因材料暴露于氧气引起缺陷而使晶体管效率降低的问题。研究人员称，新器件在“跨导”中的性能比传统的FinFET高出约60%。晶体管将小电压输入转换为由栅极提供的电流，该电流打开或关闭晶体管以处理驱动计算。 

　　来源：麻省理工学院 

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